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三星DRAM遇到天花板?15nm工藝或是那道坎

時間:2017-04-21

據韓國媒體報道,三星電子為了鞏固存儲器霸業,制定了宏偉的DRAM發展藍圖,不過業界預估,15納米工藝可能是DRAM制程微縮的極限,與此同時三星還將感受到來自中國業者的壓力。

三星去年開始量產18納米DRAM,目前正研發17納米DRAM,預定今年底完成開發、明年量產。與此同時,三星也成立16納米DRAM開發小組,目標最快2020年量產。相關人士透露,微縮難度高,2020年量產時間可能延后。

三星從20納米制程,轉進10納米制程,縮小線寬(Linewidth)的速度明顯放緩。對此,三星設備解決方案部門的半導體實驗室人員Jung Eunseung說,為了繼續縮小線寬,必須開發與當前不同的新材質,并提高制程穩定性,以便進入量產。因為由15nm開始,電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯,需要開發新的材質。

業界人士估計,15納米或許是制程微縮的極限,未來三星可能難以透過制程微縮拉大與對手差距,并擔憂中國業者急起直追,趕上三星。

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